Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
diffusion au polysilicium dopé — difuzija iš legiruoto polikristalinio silicio statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doped polysilicon diffusion vok. Diffusion aus dotiertem Polysilizium, f rus. диффузия из легированного поликристаллического кремния, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
doped-polysilicon diffusion — difuzija iš legiruoto polikristalinio silicio statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doped polysilicon diffusion vok. Diffusion aus dotiertem Polysilizium, f rus. диффузия из легированного поликристаллического кремния, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
difuzija iš legiruoto polikristalinio silicio — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doped polysilicon diffusion vok. Diffusion aus dotiertem Polysilizium, f rus. диффузия из легированного поликристаллического кремния, f pranc. diffusion au polysilicium dopé, f … Radioelektronikos terminų žodynas
диффузия из легированного поликристаллического кремния — difuzija iš legiruoto polikristalinio silicio statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doped polysilicon diffusion vok. Diffusion aus dotiertem Polysilizium, f rus. диффузия из легированного поликристаллического кремния, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… … Deutsch Wikipedia
